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IXTP55N075T
IXTY55N075T
90
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
80
T J = - 40oC
35
T J = - 40oC
70
60
25oC
150oC
30
25oC
25
50
40
20
125oC
30
20
10
0
15
10
5
0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 37.5V
120
100
80
60
8
7
6
5
4
I D = 10A
I G = 1mA
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0
5
10
15
20
25
30
35
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
C rss
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
10.00
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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